Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий AUIRF3808S-VB
N-ch; 80V 120A 6mΩ@10V
на складі 31 шт.
в магазині 1 шт.
код: A118277
VBsemi
TO-263
VBsemi
TO-263
Транзистор польовий AUIRF3808S-VB
N-ch; 80V 120A 6mΩ@10V
90 грн
код:
Швидка доставка
Відправка замовлень зроблених до 12:00 в той же день. Ми цінуємо ваш час.
Власний склад
Більш ніж 20000 назв товарів на власному складі, гарантує наявність та швидкість відправки вашого замовлення.
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: TO-263
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 80 В
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 6 мОм
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Керування силовими лініями у BMS
- Комутація навантаження
- Керування лініями живлення
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус TO-263. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).
