Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий HM4N60F
N-Ch 600V; 4A; 33W; 2 Ohm
на складі 2 шт.
в магазині 8 шт.
код: A118282
HKZ
TO-220F
HKZ
TO-220F
Транзистор польовий HM4N60F
N-Ch 600V; 4A; 33W; 2 Ohm
22 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 35 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 14 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | TO-220F |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 30 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 600 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 4 Ампер |
| Бренд | HKZ |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 33 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 2,4 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: імпульсні джерела живлення (SMPS), інвертори, PFC, електронні баласти, високовольтні перетворювачі та силові ключові каскади.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: TO-220F
- Монтаж: THT (вивідний монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 600 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 4 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 33 Вт
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 2 Ом
- Особливості: ізольований силовий корпус / FullPak
Функціонал
- Робота в інверторах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Робота у вузлах PFC
- Робота в електронних баластах
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус TO-220F. Якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводами вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Зовнішня задня поверхня FullPak/TO-220F електрично ізольована від кристала.
