Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий IRFR110
(N-Ch) 100V; 4,3A; 25W; 0,54Ohm
на складі 4 шт.
в магазині 4 шт.
код: A118310
IR
D-Pak
IR
D-Pak
Транзистор польовий IRFR110
(N-Ch) 100V; 4,3A; 25W; 0,54Ohm
24 грн
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 15 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 7 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | D-PAK |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 100 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 2-4 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 4,3 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 25 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,54 Ом |
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: DC-DC перетворювачі, інвертори, імпульсні джерела живлення, драйвери та силові комутаційні вузли.
Технічні характеристики
- Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
- Корпус: D-PAK
- Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
- Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 100 В
- Постійний струм стоку (ID), за карткою: 4,3 А
- Потужність розсіювання (PD), за карткою: 25 Вт
- Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0,54 Ом
Функціонал
- Робота у DC-DC перетворювачах
- Робота в інверторах
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
- Силова або сигнальна комутація
Розпіновка
Корпус D-PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).
