Транзистор польовий FDD6530A

N-Ch; 20V; 21A; 33W; 0,032Ohm;

Транзистор польовий FDD6530A
на складі 43 шт.
в магазині 20 шт.
код: A118318
FSC
D-Pak

Транзистор польовий FDD6530A

N-Ch; 20V; 21A; 33W; 0,032Ohm;


22 грн
код:

ПараметрЗначення
Час закриття транзистора td(off)32 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)16 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD-PAK
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs8 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds20 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)0,4-1,2 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id21 Ампер
БрендFairchild
Розсіювана потужність (25°C) Pd33 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,047 Ом
Способи оплати

💳 Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.

У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.

Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.


Додаткова інформація

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу. Транзистор призначений для силової або сигнальної комутації та може використовуватися в таких вузлах: низьковольтні DC-DC перетворювачі, BMS, автомобільна електроніка, драйвери двигунів, ключі навантаження та системи керування живленням.

Технічні характеристики

  • Тип: N-канальний MOSFET з ізольованим затвором збагаченого типу
  • Корпус: D-PAK
  • Монтаж: SMD (поверхневий монтаж)
  • Напруга стік-витік (VDS), за карткою: 20 В
  • Постійний струм стоку (ID), за карткою: 21 А
  • Потужність розсіювання (PD), за карткою: 33 Вт
  • Опір відкритого каналу (RDS(on)), за карткою: 0,032 Ом

Функціонал

  • Робота у DC-DC перетворювачах
  • Керування силовим навантаженням у драйверних схемах
  • Керування силовими лініями у BMS
  • Комутація навантаження
  • Керування лініями живлення
  • Силова або сигнальна комутація

Розпіновка

Корпус D-PAK. Для стандартного одиночного силового MOSFET, якщо дивитися згідно креслення корпусу: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік) Велика металева/теплова площадка зазвичай електрично з'єднана з Drain (D).