Dual N-ch; 20V; 12V; 7A; 2W; 0,045 Ohm
Dual N-ch; 20V; 12V; 7A; 2W; 0,045 Ohm
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 110 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 7,6 Наносекунд |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 12 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 20 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 0,6-1,2 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 7 Ампер |
| Бренд | IR |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 2 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,045 Ом |
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Опис
це подвійний N-канальний MOSFET (2×N), що містить два силові ключі в одному корпусі. Таке виконання використовується в DC-DC перетворювачах, вузлах керування живленням, напівмостах, BMS та компактних імпульсних схемах.
Технічні характеристики
Функціонал
Розпіновка
Корпус SO-8, вид зверху, ключ/точка визначає вивід 1: 1. S1 2. G1 3. S2 4. G2 5. D2 6. D2 7. D1 8. D1. У корпусі знаходяться два незалежні N-канальні MOSFET.