N-ch; 30V; 116A; 180W; 0.007 Ohm
N-ch; 30V; 116A; 180W; 0.007 Ohm
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Час закриття транзистора td(off) | 105 Наносекунд |
| Час відкриття транзистора td(on) | 27 Наносекунд |
| Кількість каналів | 1 |
| Корпус | TO-220 |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Мінімальна робоча температура | -55 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | 20 Вольт |
| Напруга пробою сток-витік Vds | 30 Вольт |
| Полярність | N-Channel |
| Порогова напруга затвор-витік Vgs(th) | 1-2,5 Вольт |
| Постійний струм стоку (25°C) Id | 120 Ампер |
| Бренд | VBsemi |
| Розсіювана потужність (25°C) Pd | 250 Ватт |
| Опір сток-витік (25°C) Rds(on) | 0,004 Ом |
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Опис
це N-канальний Logic-Level MOSFET, VBsemi з ізольованим затвором збагаченого типу. Використовується в DC-DC перетворювачах, автомобільній електроніці, BMS, драйверах двигунів, ключах навантаження та інших імпульсних силових вузлах.
Технічні характеристики
Функціонал
Розпіновка
Корпус TO-220, якщо дивитися на сторону з маркуванням, виводи вниз: 1. Gate (G, Затвор) 2. Drain (D, Сток) 3. Source (S, Витік). У неізольованому корпусі металева задня пластина/фланець також з’єднана з Drain (D).