Транзистор польовий FDD6680AS

(N-Ch) 30 V; 50 A; 0,0105 Ohm

Транзистор польовий  FDD6680AS
на складі 25 шт.
в магазині 23 шт.
код: A118447
HXY
D-Pak

Транзистор польовий FDD6680AS

(N-Ch) 30 V; 50 A; 0,0105 Ohm


51.5 грн
код:

ПараметрЗначення
Час закриття транзистора td(off)53 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)9 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусD-Pak
Максимальна робоча температура175 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds30 Вольт
ПолярністьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1,2-2,5 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id60 Ампер
БрендHXY
Розсіювана потужність (25°C) Pd41 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,014 Ом
Способи оплати

💳 Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.

У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.

Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.


Додаткова інформація

Опис

це N-канальний MOSFET із інтегрованим Schottky-діодом з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.

Технічні характеристики

  • Тип / канал: N-канальний MOSFET із інтегрованим Schottky-діодом
  • Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
  • Максимальний постійний струм стоку (ID): 55 А
  • Максимальний імпульсний струм стоку (IDM): 100 А
  • Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max 10,5 мОм @10 В; 13 мОм @4,5 В
  • Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
  • Потужність розсіювання (PD): ≈60 Вт
  • Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
  • Повний заряд затвора (Qg): typ ≈21 нКл
  • Корпус: D-PAK

Функціонал

  • Робота у DC-DC перетворювачах
  • Робота у BMS
  • Робота в автомобільній електроніці
  • Робота в драйверах двигунів
  • Робота в UPS
  • Силова комутація

Розпіновка

Корпус D-PAK: логічна цокольовка 1=Gate (G), 2=Drain (D), 3=Source (S). У 2-lead виконанні контакт Drain реалізований переважно великою металевою площадкою/tab; видимі ніжки — Gate і Source.