Транзистор польовий TPN2R203NC

N-ch; 30V; 100A; 42W; 0,0018 Ohm

Транзистор польовий TPN2R203NC
на складі 25 шт.
в магазині 33 шт.
код: A118461
Toshiba
TSON Advance

Транзистор польовий TPN2R203NC

N-ch; 30V; 100A; 42W; 0,0018 Ohm


28.5 грн
код:

ПараметрЗначення
Час закриття транзистора td(off)68 Наносекунд
Час відкриття транзистора td(on)14 Наносекунд
Кількість каналів1
КорпусTSON Advance
Максимальна робоча температура150 °C
Мінімальна робоча температура-55 °C
Напруга затвор-витік Vgs20 Вольт
Напруга пробою сток-витік Vds30 Вольт
ПолярністьN-channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th)1,3-2,3 Вольт
Постійний струм стоку (25°C) Id100 Ампер
БрендToshiba
Розсіювана потужність (25°C) Pd42 Ватт
Опір сток-витік (25°C) Rds(on)0,0036 Ом
Способи оплати

💳 Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.

У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.

Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.


Додаткова інформація

Опис

це N-канальний MOSFET з ізольованим затвором. Застосовується в DC-DC перетворювачах, BMS, автомобільній електроніці, драйверах двигунів, UPS та силових ключах.

Технічні характеристики

  • Тип / канал: N-канальний MOSFET
  • Максимальна напруга стік-витік (VDS): 30 В
  • Максимальний постійний струм стоку (ID): 100 А
  • Опір каналу у відкритому стані (RDS(on)): max 2,2 мОм @10 В; 3,6 мОм @4,5 В
  • Порогова напруга VGS(th): 1,3…2,3 В
  • Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±20 В
  • Потужність розсіювання (PD): 42 Вт
  • Температурний діапазон / Tj max: до +150 °C
  • Повний заряд затвора (Qg): ≈34 нКл
  • Ємності: Ciss ≈2,23 нФ
  • Корпус: TSON Advance

Функціонал

  • Робота у DC-DC перетворювачах
  • Робота у BMS
  • Робота в автомобільній електроніці
  • Робота в драйверах двигунів
  • Робота в UPS
  • Силова комутація

Розпіновка

Корпус TSON Advance, вид зверху за стандартною силовою 8-контактною схемою цього сімейства: 1–3. Source (S) 4. Gate (G) 5–8. Drain (D). Нижня exposed/thermal pad, якщо є, також належить силовому вузлу Drain.