Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор польовий STP9NK60ZFD-VB
N-Ch 650V 8A 106W 4V
на складі 35 шт.
в магазині 15 шт.
код: A118492
VBsemi
TO-220F
VBsemi
TO-220F
Транзистор польовий STP9NK60ZFD-VB
N-Ch 650V 8A 106W 4V
48.5 грн
код:
Швидка доставка
Відправка замовлень зроблених до 12:00 в той же день. Ми цінуємо ваш час.
Власний склад
Більш ніж 20000 назв товарів на власному складі, гарантує наявність та швидкість відправки вашого замовлення.
Способи оплати
💳
Ми приймаємо оплату зручними для вас способами: банківською карткою, безготівково на рахунок за реквізитами IBAN, а також готівкою. Ми завжди раді вашому замовленню та дбаємо, щоб оплата була простою і зручною.
У фізичному магазині доступні всі форми оплати, на точці видачі — лише банківська картка.
Для замовлень через сайт доступна безготівкова оплата на рахунок за реквізитами IBAN. Є також післяплата.
Додаткова інформація
Опис
це N-канальний MOSFET, VBsemi з ізольованим затвором, призначений для високовольтної силової комутації. Основні сфери застосування: SMPS, інвертори, PFC, перетворювачі, електронні баласти та інші імпульсні силові каскади.
Технічні характеристики
- Тип / канал: N-канальний MOSFET, VBsemi
- Максимальна напруга стік-витік (VDS): 650 В
- Максимальний постійний струм стоку (ID): 8 А
- Порогова напруга VGS(th): до ≈4 В
- Максимальна напруга Gate-Source (VGS): ±30 В
- Потужність розсіювання (PD): 106 Вт
- Температурний діапазон / Tj max: -55…+150 °C
- Корпус: TO-220F
Функціонал
- Робота в імпульсних джерелах живлення
- Робота в інверторах
- Робота у вузлах PFC
- Робота в електронних баластах
Розпіновка
Корпус TO-220F, дивимося на сторону з маркуванням, ніжки вниз: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Зовнішня задня поверхня FullPak електрично ізольована.
