IGBT; NPT Trench; 1200V; 15A; 186W; Diode
IGBT; NPT Trench; 1200V; 15A; 186W; Diode
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Максимальна робоча температура | 150 °C |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd | 186 Ватт |
| Напруга затвор-емітер Vge | 20 Вольт |
| Напруга колектор-емітер Vces | 1200 Вольт |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr | 210 Наносекунд |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on) | 1,9 Вольт |
| Номінальний струм діода (100°C) If | 15 Ампер |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic | 15 Ампер |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic | 30 Ампер |
| Бренд | Fairchild (ONS) |
| Структура | NPT IGBT+діод |