Каталог
Новинки
Поновлення
Дешевше
АкціїТранзистор IGBT IKW40N120H3 (K40H1203)
1200V; Ic = 80A (25C); Ic = 40A (100C); 483W (25C), 220W (100C);
Транзистор IGBT IKW40N120H3 (K40H1203)
1200V; Ic = 80A (25C); Ic = 40A (100C); 483W (25C), 220W (100C);
код:
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Максимальна робоча температура | 175 °C |
| Максимальна розсіювана потужність (25°C) Pd | 483 Ватт |
| Напруга затвор-емітер Vge | 20 Вольт |
| Напруга колектор-емітер Vces | 1200 Вольт |
| Номінальний час відновлення діода (25°C) trr | 355 Наносекунд |
| Номінальна напруга насичення колектор-емітер Vce(on) | 2,05 Вольт |
| Номінальний струм діода (100°C) If | 20 Ампер |
| Номінальний струм колектора (100°C) Ic | 40 Ампер |
| Номінальний струм колектора (25°C) Ic | 80 Ампер |
| Бренд | Infineon |
| Структура | Trenchstop IGBT |
Додаткова інформація
